[18a-G204-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

[18a-G204-1] 4H-SiC酸化によるアモルファス構造が表面単一光子光源に与える影響の 理論的分析

〇古川 頼誉¹、土方 泰斗²、大島 武³、松下 雄一郎¹ (1.東大院工、2.埼玉大院工、3.量研)

キーワード：単一光子光源、SiC

SiC熱酸化処理を施すとその表面には単一光子光源（表面SPS）が現れるが、その欠陥種は未特定であるほか、発光波長ピークが個々の表面SPSによってばらつくという特徴がある。本研究ではSiC表面が酸素吸着によりアモルファス化する点に注目し、第一原理計算によって酸素関連の欠陥の電子状態を調べたところ、ギャップ中に現れる欠陥準位に欠陥構造の位置依存性があり、表面構造ごとにばらつくことを見出した。