The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[18a-G204-1~8] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Sun. Mar 18, 2018 9:30 AM - 11:30 AM G204 (63-204)

Kenji Shinozaki(AIST)

11:15 AM - 11:30 AM

[18a-G204-8] Near-infrared luminescence in perovskite BaSnO3 epitaxial films

Hiroshi Takashima1, Yoshiyuki Inaguma2 (1.AIST, 2.Gakushuin Univ)

Keywords:Near-infrared luminescence, perovskite, BaSnO3 epitaxial films

ペロブスカイト型酸化物は多くの機能を有し、蛍光、発光など光学デバイスの研究開発が盛んに行われている。近年、近赤外発光を示すバルク体BaSnO3が報告された。我々は、近赤外発光の応用先として太陽電池の発電効率を向上させる波長変換デバイス開発に着目し、単結晶基板上へBaSnO3薄膜を成膜し、その結晶性、表面構造、光学的特性を評価したので報告する。