2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[18a-G204-1~8] 13.8 光物性・発光デバイス

2018年3月18日(日) 09:30 〜 11:30 G204 (63-204)

篠崎 健二(産総研)

11:15 〜 11:30

[18a-G204-8] ペロブスカイト型酸化物BaSnO3薄膜の近赤外発光

高島 浩1、稲熊 宜之2 (1.産総研、2.学習院大理)

キーワード:近赤外発光、ペロブスカイト型酸化物、BaSnO3 エピタキシャル薄膜

ペロブスカイト型酸化物は多くの機能を有し、蛍光、発光など光学デバイスの研究開発が盛んに行われている。近年、近赤外発光を示すバルク体BaSnO3が報告された。我々は、近赤外発光の応用先として太陽電池の発電効率を向上させる波長変換デバイス開発に着目し、単結晶基板上へBaSnO3薄膜を成膜し、その結晶性、表面構造、光学的特性を評価したので報告する。