[18a-G205-1~8] 12.1 作製・構造制御

[18a-G205-7] 有機グラフォエピタキシーの分子動力学シミュレーション 5(最終)
- 溝の影響に関する総括と有機薄膜成長一般論への応用に向けた展望 -

〇池田 進¹ (1.東北大WPI-AIMR)

キーワード：グラフォエピタキシー、分子動力学シミュレーション、有機半導体

セクシチオフェンやペンタセンがグラフォエピタキシーを起こす際の分子の挙動を分子動力学（MD）シミュレーションを用いて再現した結果を過去の講演会で報告してきた。特に、分子堆積過程のシミュレーションにおいて（実験では普遍的に見られる）立った分子からなる結晶核が出現したことは、平坦基板上シミュレーションでは得られていない新たな知見であり、有機半導体薄膜成長のメカニズムを再考する動機を与えてくれる。