[18a-P4-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[18a-P4-4] ゲート容量が不均一な共通ゲート二重ドット単電子デバイスの安定領域の解析

〇渡辺 雄介¹、今井 茂¹ (1.立命大院理工研)

キーワード：単電子デバイス