[18a-P7-1~23] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[18a-P7-22] Dependence of Capacitance-Voltage Curves on Structures of Pentacene MIS Devices

〇Cheonmyeong Kim¹, Ryo Yamamoto¹, Kei Noda¹ (1.Keiogijuku Univ.)

Keywords:pentacene, C-V measurement, carrier density

金属／絶縁膜／半導体（MIS）構造における静電容量－電圧特性（C－V特性）測定は、半導体膜におけるキャリア密度（ドーパント濃度）を簡易的に評価する手段として用いられている。有機材料を用いたMIS構造を測定試料とする際には、その素子構造を注意深く検討する必要がある。本研究ではペンタセンを用いたMIS構造におけるC－V特性に対して、その素子構造や測定バイアス条件が与える影響について調査を行った。