[18p-A202-1~15] デバイスシミュレーション技術の活用と将来展望

[18p-A202-5] 微細構造デバイスシミュレーションにおける局所的な乱れによるポテンシャルゆらぎの物理的側面

〇佐野 伸行¹ (1.筑波大数理)

キーワード：半導体デバイス、ナノスケール、局在した乱れ

ナノスケールの微細構造電子デバイスでは、不純物や欠陥、界面ラフネスなどの局所的な乱れがデバイス特性に本質的な影響を及ぼし得る。このような局在した乱れによるポテンシャルゆらぎをデバイスシミュレーションに正確に反映させるためには、シミュレーションで想定されている長さのスケールと乱れの特性長との物理的整合性をシミュレーションの基本的枠組みのかなで考察することが重要となる。本講演では、各種デバイスシミュレーションの理論的な枠組みのなかでのポテンシャルゆらぎの物理的側面について考察する。