[18p-B201-1~14] 3.15 シリコンフォトニクス

[18p-B201-13] 方向性結合器を用いた偏波スプリッタの消光比向上に向けた設計と評価

〇三津野 翔哉¹、丸山 武男¹ (1.金沢大学自然科学研究科)

キーワード：シリコンフォトニクス、方向性結合器、偏波スプリッタ

Si/SiO₂導波路のように高い屈折率差は高密度集積を可能にするが、一方強い偏波依存性の原因となる。この解決策として、我々は素子の小型化に有利という観点から方向性結合器による導波路型偏波スプリッタに着目した。FDTD 解析により、結合長の組み合わせを 1:2 とすることで実現すること確認し、ファウンドリーサービスを用いてデバイスを作製した。結果として、偏波スプリッタとして動作していることが確認でき、消光比 20dB 以上を得た。