[18p-B201-1~14] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [18p-B201-2] III-V/Siハイブリッド部分直接接合における非破壊接合状況確認法の提案

〇白 柳¹、菊地 健彦^1,3、鈴木 純一¹、永坂 久美¹、西山 伸彦^1,2、八木 英樹³、雨宮 智宏^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研、3.住電)

キーワード：III-V/Siハイブリッド、部分接合、非破壊

Siをプラットフォームとして用いて、III-V族化合物半導体と集積するハイブリッドレーザーが注目されている。サイズや種類の異なる小片を接合する場合、部分的に直接接合する必要がある。この部分接合法の貼り付け状況、特に空隙の大きさを非破壊で確認するために、今回、Photoluminescence (PL) 測定データから伝搬行列法を用いて空気層および半導体層の厚さを推定する方法を提案し、断面SEM観察の結果と比較したので、ご報告する。