[18p-B201-1~14] 3.15 シリコンフォトニクス

[18p-B201-6] 埋め込みヘテロ構造を用いたSi上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器

〇開 達郎^1,2、相原 卓磨¹、藤井 拓郎^1,2、武田 浩司^1,2、土澤 泰^1,2、硴塚 孝明^1,2、福田 浩^1,2、松尾 慎治^1,2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード：シリコンフォトニクス

本研究では、レーザや光増幅器集積に適した高効率Si基板上マッハツェンダ変調器として、埋込みヘテロ構造を用いた薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器を提案、作製した。作製した素子を評価した結果、変調効率(V_πL)は約0.27 Vcmであり、従来の電荷空乏型Si変調器よりも小さなV_πLが確認された。