[18p-B201-1~14] 3.15 シリコンフォトニクス

[18p-B201-7] フォトニクス応用に向けたIII-V on SiCプラットフォームの検討

〇三條 嵩明¹、関根 尚希²、高木 信一^1,2、竹中 充^1,2 (1.東大工、2.東大院工)

キーワード：SiC、Wafer bonding、Heat dissipation

Takenaka (2017)により提案されたIII-V族半導体をSiC基板に貼り合わせたフォトニクスのためのIII-V on SiC構造は、放熱特性や熱応力の点でIII-V-on-insulator構造と比較して優れている。このIII-V on SiC構造と従来のIII-V-on-insulator構造の放熱特性について、数値解析と実験を行い、検証を行った。