2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 B203 (53-203)

種村 拓夫(東大)、赤羽 浩一(NICT)

15:45 〜 16:00

[18p-B203-10] 周期的スロット構造を用いたGaAsP波長可変単一モードレーザ

楠本 壮1、上向井 正裕1、片山 竜二1 (1.阪大院工)

キーワード:GaAsP、波長可変、スロット構造

DBRレーザよりも比較的簡便なプロセスで作製できる波長可変単一モードレーザとして、スロットと呼ばれる幅0.5 µm程度の溝構造を周期的に形成したスロット構造レーザを作製した。このレーザはDBRレーザほどの高分解能リソグラフィや結晶再成長を必要とせず、リッジ構造活性チャネルとスロット構造を一度のRIEで形成することが出来る。本発表では、この周期的スロット構造波長可変単一モードレーザの設計、作製、評価について報告する。