[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-17] サブミクロン厚4H-SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性

〇竹中 一将¹、板東 洋太¹、滝谷 悠介¹、山口 誠²、田中 康弘³、中島 信一¹、岡田 達也¹、富田 卓朗¹ (1.徳島大工、2.秋田大理工、3.香川大工)

キーワード：SiC、ラマン散乱、フォノン