2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 B203 (53-203)

種村 拓夫(東大)、赤羽 浩一(NICT)

14:00 〜 14:15

[18p-B203-4] MQW-SOAを用いた高速信号処理全光論理ゲートデバイスの10Gbpsにおける基本動作の確認

〇(M1)赤石 陽太1、松井 信衞1、伊澤 昌平1、松本 敦2、松島 裕一3、石川 浩1、宇髙 勝之1 (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

キーワード:半導体量子井戸、非線形光学効果、全光論理ゲート

我々は半導体増幅器(SOA)の非線形光学効果である相互利得変調(XGM)と四光波混合(FWM)をもちいた単一SOA型のXNOR論理ゲートデバイスを提案している。2017秋応物ではMQW-SOAの非線形光学効果を検討しCW入力でのXNOR動作の確認を報告した。今回はその非線形光学効果を最適化し10Gbps でのXNOR論理動作を確認したので報告する。