2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 B203 (53-203)

種村 拓夫(東大)、赤羽 浩一(NICT)

14:15 〜 14:30

[18p-B203-5] 1.3µm帯光送信器に向けたInP集積偏波多重回路の設計

菅 一輝1、中野 義昭1、種村 拓夫1 (1.東大院工)

キーワード:偏波多重、InP

データセンターや近距離通信におけるデータトラフィックの急速な増加に伴い,偏波多重方式など光の偏波状態を利用した光送受信器への需要が高まっている.著者らは,InP系レーザと集積が容易なハーフリッジ型光導波路を利用した偏波変換器を提案し,Cバンド(1.55mm帯)用に研究を進めてきた.今回,近距離通信に適したOバンド(1.3µm帯)において,偏波変換器(PC: polarization converter)と偏波ビームコンバイナ(PBC: polarization beam combiner)をコンパクトに集積した偏波多重回路を新たに設計したので報告する.