2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:00 B203 (53-203)

種村 拓夫(東大)、赤羽 浩一(NICT)

14:30 〜 14:45

[18p-B203-6] TE光を用いたサブ波長格子型光変調器の設計と試作

小杉 優地1、岡本 有貴1、山田 千由美2、肥後 昭男1、山田 俊樹2、大友 明2、三田 吉郎1、中野 義昭1、種村 拓夫1,3 (1.東京大学、2.情報通信研究機構、3.科学技術振興機構さきがけ)

キーワード:光変調器、サブ波長格子、電気光学ポリマー

光イメージングや光無線通信への応用に向けて,高速な垂直入射型光変調器が求められている.著者らは,シリコン(Si)のサブ波長格子に電気光学(EO: electro-optic)ポリマーを埋め込むことで,共振を利用して効率的に光の強度や位相を変調する素子を提案し,研究を進めている.今回,TE(transverse-electric)偏光の入射光を用いることで,Si格子の厚さを大幅に薄くできることを見出し,実際に試作した素子を用いて共振を観測したので報告する.