[18p-B203-1~17] 3.13 半導体光デバイス

[18p-B203-7] III-V/SOI ハイブリッドデバイス/Si 細線導波路間テーパ型モード変換器の構造評価

〇鈴木 純一¹、立花 文人¹、永坂 久美¹、エイッサ モータズ¹、白 柳¹、御手洗 拓矢¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大工、2.未来研)

キーワード：ウェハ直接接合技術、III-V/Siハイブリッド集積、テーパ型光モード変換器

ウェーハ直接接合技術を用いた III-V/SOI ハイブリッドデバイスにおいて、異なる 2 つのモードを持つIII-V/SOI ハイブリッド領域と Si 導波路部の高効率結合にはテーパ構造を用いることが一般的であるが、その構造は結合効率に大きく影響する。今回、作製したハイブリッドデバイスの特性から結合効率を見積もり、改善に向けた検討を行ったのでご報告する。