2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

[18p-B403-1~19] 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長

2018年3月18日(日) 13:15 〜 18:30 B403 (53-403)

尾崎 壽紀(関西学院大)、寺西 亮(九大)、一野 祐亮(名大)

14:45 〜 15:00

[18p-B403-7] 高い臨界電流密度を有するBi系高温超伝導ウィスカーの大型化

田中 橘平1、佐伯 夏海1、田中 博美1、松本 凌2,3、高野 義彦2,3 (1.米子高専、2.物材機構、3.筑波大学)

キーワード:Bi系高温超伝導、ウィスカー

Bi系高温超伝導針状単結晶(Bi系ウィスカー)ではSrサイトがCa2+イオンで置換(以後、Ca/Sr置換)されており、 高いJcが発現する起源となっている。 一方、 Ca/Sr置換量を大きくすると最大結晶サイズが低下する。 そのためリード線等への応用が困難であった。
そこで本研究では、 母材表面のアルミナ触媒の濃度を増加させることで、 Ca/Sr置換量が大きなBi系ウィスカーのサイズ向上および特性改善を試みた。