[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-C102-11] 酸素空孔分布制御型4端子メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション

〇永田 善也¹、清水 拓磨¹、竹内 正太郎¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：メモリスタ、抵抗変化メモリ、酸化チタン