[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-C102-13] 全固体酸化還元トランジスタを用いたSrVO₃薄膜の導電率変調

〇高柳 真^1,2、土屋 敬志²、並木 航^1,2、樋口 透¹、寺部 一弥² (1.東理大、2.物材機構)

キーワード：全固体、酸化還元反応

固体電解質を用いた電気化学的なイオン挿入・脱挿入に伴う電子キャリア濃度の変調、即ち酸化還元反応に注目し、SrVO₃の電気特性の変調を試みた。具体的には典型的なイオン種であるH⁺, Li⁺イオン伝導性の2種類の固体電解質(Y安定化ZrO₂，及びLi₄SiO₄薄膜)を用いた全固体酸化還元トランジスタにおける導電率の変調を調査した。同じ１価のカチオンにも関わらず、H⁺イオンとLi⁺イオン電解質では導電率の変調に大きな違いが観察された。