[18p-C102-1~16] 6.3 Oxide electronics

△ [18p-C102-14] Resistance and Current Control over Very Wide Range in Conducting Bridge Random Access Memory

〇(B)Atsushi Shimizu¹, Sohta Hida², Satoru Kishida², Kentaro Kinoshita¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.Tottori Univ.)

Keywords:CBRAM, multibit, memory window

抵抗変化型メモリは，多値メモリとして期待されていたが，メモリセルと電流リミッタ間の寄生容量に起因する過渡電流の存在故に，電流のコントロールが難しいとされてきた．本研究では，フォーミング後にリセットを繰り返す等することで，高抵抗状態の抵抗値(R_HRS)を初期抵抗値(R_Ini)付近まで戻せることが明らかになった. この手法をCu/ZrO₂/Ptに適用すると，寄生容量の影響を受けることなく，抵抗を7桁の広範囲に亘って制御することが可能となった.