[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-C102-14] 導電性ブリッジメモリにおける超広域抵抗制御と電流低減の実現

〇(B)清水 敦史¹、肥田 聡太²、岸田 悟²、木下 健太郎¹ (1.東京理科大理、2.鳥取大工)

キーワード：導電性ブリッジメモリ、多値化、メモリウィンドウ

抵抗変化型メモリは，多値メモリとして期待されていたが，メモリセルと電流リミッタ間の寄生容量に起因する過渡電流の存在故に，電流のコントロールが難しいとされてきた．本研究では，フォーミング後にリセットを繰り返す等することで，高抵抗状態の抵抗値(R_HRS)を初期抵抗値(R_Ini)付近まで戻せることが明らかになった. この手法をCu/ZrO₂/Ptに適用すると，寄生容量の影響を受けることなく，抵抗を7桁の広範囲に亘って制御することが可能となった.