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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年3月18日(日) 13:45 〜 18:00 C102 (52-102)

内藤泰久(産総研)、新宮原正三(関西大)

17:30 〜 17:45

△ [18p-C102-15] 異なる結晶性を有するTiO₂薄膜を用いたPt/TiO₂/Pt抵抗変化素子の電気的特性の評価

〇(B)荒畑雅也¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：抵抗変化メモリ