[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-C102-5] 酸化タンタル薄膜における抵抗スイッチ現象の決定論的挙動から確率的挙動への遷移

〇西 義史^1,2、メンツェル ステファン^2,3 (1.東芝研開セ、2.アーヘン工大、3.ユーリッヒ研究所)

キーワード：抵抗変化メモリ、ワイブル分布

タンタル酸化薄膜における抵抗スイッチ現象について、電圧を印加してからSETが起こるまでの時間の単一セル内における統計分布の印加電圧依存性を調べた。統計分布はワイブル分布に従うが、電圧が高い場合はワイブルβが２以上であるのに対し、電圧を低くするとβが急激に１に近づくことが分かった。これは、電圧を下げることにより、SET過程が決定論的な過程から確率的な過程へ変化していることを示すものである。