[18p-C102-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-C102-9] レーザー励起光電子顕微鏡によるReRAMの化学状態の非破壊operando観測

〇(M2)川北 純平^1,2、島 久^2,3、内藤 泰久^2,3、秋永 広幸^2,3、谷内 敏之^1,2、辛 埴^1,2 (1.東大物性研、2.産総研・東大 オペランド計測、3.産総研ナノエレ)

キーワード：抵抗変化メモリ、光電子顕微鏡、オペランド観測

抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチングのより詳細なメカニズム解明のため、非破壊かつ高分解能な顕微手法を用いた実デバイスのフィラメント観測が求められている。そこで、我々は表面・界面の電子状態をnmオーダーの高分解能で観察することができるレーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用い、Pt/Ta₂O₅/TiN の非破壊opearndo観測を行った。その結果、非破壊で抵抗変化の動的な過程を観測することに成功し、素子全体で光電子強度の変化があることを発見した。