[18p-C202-1~9] 17.2 グラフェン

[18p-C202-8] THz周波数帯域の光学分散特性測定によるグラフェンの電気特性解析

孫 健東¹、〇藤井 高志^1,3、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、鴨井 督²、岩本 俊志³ (1.立命館大学、2.京都府中小企業技術センター、3.日邦プレシジョン)

キーワード：テラヘルツ、グラフェン、分散特性

THz時間領域分光法（THz-TDS）は、フェムト秒レーザーを用いたパルス分光法で、電場の振幅強度と位相を同時に測定することが可能である。そのためK-K変換を用いることなく、THz周波数領域の複素誘電率を一意に求めることが可能である。ここで求められた複素誘電率をDrude-modelを適用することにより、導電性材料の電気特性を解析することができる。我々は、これまでこのTHz-TDSにエリプソメトリーを組み合わせて、半導体エピタキシャル膜の非接触・非破壊電気特性解析に成功している。今回は、この手法をグラフェンの電気特性測定に適用できないかについて検討した。THz周波数領域での特性を調べるため、CaF2単結晶上に転写したグラフェンのTHz-TDSによる透過特性測定を行い、これらの手法がグラフェンに適用可能であることを確認した。