[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18p-C302-5] ALD-Al₂O₃を用いたGaN MOSゲート構造の界面制御

〇金木 奨太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集セ)

キーワード：GaN、MOS構造、界面準位