[18p-C302-1~19] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [18p-C302-6] Theoretical prediction of a self-forming gallium oxide at an n-type GaN/SiO₂ interface

〇Kenta Chokawa¹, Tetsuo Narita², Daigo Kikuta², Tetsu Kachi³, Koji Shiozaki³, Kenji Shiraishi^3,1 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, SiO2, Ga2O3

フェルミ準位とバンドダイアグラムを用いた考察により、n-GaN/SiO₂界面で発生する化学反応と得られる界面構造の予測を行った。n-GaN/SiO2界面ではフェルミ準位はGaNの伝導帯下端近傍に位置する。この界面においてn-GaNのフェルミ準位からSiO₂へと電子が移動することで大きなエネルギー利得が発生し、SiO₂膜に酸素空孔欠陥が発生する。この時、放出された酸素原子が界面において酸化反応を起こしGa₂O₃膜が形成される事を明らかにした。