[18p-C302-1~19] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18p-C302-7] In situ Photoemission Study on Thermal Decomposition of GaO_x/GaN Structures

〇Mikito Nozaki¹, Daiki Terashima¹, Kenta Watanabe¹, Takahiro Yamada¹, Akitaka Yoshigoe², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe² (1.Osaka Univ., 2.JAEA)

Keywords:Gallium Nitride, Gallium Oxide, Synchrotron Radiation XPS

SiO₂をゲート絶縁膜とするGaN MOSデバイスへの酸化ガリウム（GaO_x）界面層の挿入は界面特性の向上に効果的である。さらにSiO₂/GaO_x/GaN MOS構造に対する熱処理（PDA）が界面特性をより向上させることを確認しているが、GaO_x層の熱的安定性については十分に理解できていない。本研究では放射光光電子分光分析（SR-XPS）によりin situ加熱処理時のGaO_x層の構造変化を評価した。