[18p-C302-1~19] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-C302-7] 放射光光電子分光法によるGaN上GaO_x層の熱脱離過程の評価

〇野崎 幹人¹、寺島 大貴¹、渡邉 健太¹、山田 高寛¹、吉越 章隆²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司² (1.阪大院工、2.原子力機構)

キーワード：窒化ガリウム、酸化ガリウム、放射光光電子分光法

SiO₂をゲート絶縁膜とするGaN MOSデバイスへの酸化ガリウム（GaO_x）界面層の挿入は界面特性の向上に効果的である。さらにSiO₂/GaO_x/GaN MOS構造に対する熱処理（PDA）が界面特性をより向上させることを確認しているが、GaO_x層の熱的安定性については十分に理解できていない。本研究では放射光光電子分光分析（SR-XPS）によりin situ加熱処理時のGaO_x層の構造変化を評価した。