[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-5] 遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御

〇山本 圭介¹、光原 昌寿¹、王 冬¹、中島 寛² (1.九大総理工、2.九大GIC)

キーワード：金属/Ge接合、フェルミレベルピンニング、障壁高さ