[18p-C304-1~11] ゲルマニウムの工学－電子・光・熱・スピン　Ⅳ族半導体の新展開－

[18p-C304-8] Geと格子整合する高品質単結晶強磁性薄膜の開拓と強磁性ヘテロ構造におけるスピン依存伝導現象

〇大矢 忍¹、若林 勇希¹、鈴木 亮太¹、瀧口 耕介¹、田中 雅明¹ (1.東大院工)

キーワード：強磁性半導体、スピントロニクス、量子サイズ効果

スピントランジスタ等の次世代の半導体スピントロニクスデバイスを実現する上で、スピンを半導体中に効率的に注入する技術の開拓が極めて重要である。特に、半導体と強磁性体間の抵抗率の不整合性の改善や、高品質単結晶界面の実現等が最も重要な課題である。本講演では、Geと格子整合性の良い強磁性材料系を用いた我々の最近の試みを紹介する。