[18p-D102-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-D102-20] ギャップ内準位による有機トランジスタのターンオン電圧制御

〇松井 弘之¹、時任 静士¹ (1.山形大ROEL)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、OFETs、デバイスシミュレーション

不純物半導体を用いるシリコンMOSFETに対し、有機トランジスタ（OFET）では一般に真性半導体が用いられる。従って、OFETのターンオン電圧V_ONは、主にチャネル－ゲート間の仕事関数差およびチャネルのギャップ内準位により決定される。本研究では、ギャップ内準位の積極的な導入によるV_ON制御を目的として、デバイスシミュレーションおよび共蒸着による実験結果を元に検討したので報告する。