[18p-D102-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-D102-22] ナノ構造制御による半導体型カーボンナノチューブのＴＦＴ特性向上

〇内藤 孝二郎¹、浅野 敏²、田中 丈士²、斎藤 毅²、片浦 弘道²、磯貝 和生¹、長尾 和真¹、村瀬 清一郎¹ (1.東レ、2.産総研ナノ材料)

キーワード：ＣＮＴ、半導体ポリマー、ＴＦＴ

近年、塗布型薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料として単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が注目されている。我々はこれまでに、高純度半導体型SWCNTと独自半導体ポリマーとの複合化により、塗布型では世界最高レベルの移動度を達成している。本検討では、CNT間の接触点の低減とバンドギャップ増大による半導体性向上を狙い、長さまたは直径を制御した半導体型SWCNTのTFT特性を評価した。その結果、直径を変化させることによりTFT特性向上が見られた。