[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-12] 電子線照射Si結晶の室温フォトルミネッセンスで観測されるC-line近傍発光の起源

〇田島 道夫¹、木内 広達¹、石川 陽一郎¹、小椋 厚志¹ (1.明治大)

キーワード：シリコン、フォトルミネッセンス、炭素不純物

Si結晶中の微量炭素不純物の定量法として発光活性化フォトルミネッセンス(PL)法が着目されている．我々は，これまでの液体ヘリウム／液体窒素温度におけるPL測定に代わり，寒剤が不要で大気中で測定が行える室温PL測定においても，低温の炭素起因発光線（C-line）近傍に深い準位の発光帯が現れることを見出した．本発表では，その発光帯が炭素起因である可能性が極めて高く，定量評価に利用できることを示す．