[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-18] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSiC-ショットキーバリアダイオードの評価

〇内田 悠貴¹、五十嵐 貴紀¹、國米 凱¹、中島 瑞貴¹、佐藤 宣夫¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：SiC、ショットキーバリアダイオード、多機能走査型プローブ顕微鏡

近年シリコンカーバイド(SiC)が注目され、デバイスが製造されている。そこで我々は、様々なパワーデバイスの多機能走査型プローブ顕微鏡による評価を行っている。今回、順バイアス及び逆バイアスにおけるSiC-SBDの評価を行った。