[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-21] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（12）窒素ドープFZ結晶の熱処理によるライフタイム減少について

〇井上 直久^2,1、河村 裕一² (1.東京農工大学、2.大阪府立大学)

キーワード：FZシリコン結晶、窒素点欠陥複合体、ライフタイム

我々は窒素ドープによるシリコン結晶の微小欠陥の抑制の機構解明のために、電子線照射により真性点欠陥を導入し赤外吸収法により窒素点欠陥複合体の挙動を研究している。最近窒素ドープFZ 結晶の熱処理によりライフライムが減少することが報告されたが、窒素点欠陥複合体の挙動がそれとよく対応しているので報告する。