[18p-D103-1~23] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18p-D103-9] n型Siウェーハ中におけるCuゲッタリング機構

〇尾崎 理衣¹、鳥越 和尚¹、水野 泰輔¹、西村 雅史¹、山本 一弘¹ (1.SUMCO)

キーワード：半導体、シリコン、ゲッタリング

n型Siウェーハでは高濃度Cu汚染でバルク中にCu析出が起こる。Istratovらは、この析出物によって緩和型のゲッタリングが起こると提案しているが、低濃度汚染でのゲッタリングへの影響は明らかとなっていない。本研究では、n型Siウェーハ中におけるCuゲッタリング機構を明らかにするため、RTA（Rapid Thermal Anneal）処理により酸素析出物の形成を抑制したウェーハを使用し、Cuのゲッタリング効率およびCu析出物形成のドーパント濃度依存性を調べた。