[18p-E201-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [18p-E201-2] ミストCVD法によるエピタキシャルNiO薄膜の成長と導電性制御

〇池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：ミストCVD、酸化ニッケル、導電性制御