2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-E201-1~13] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年3月18日(日) 13:45 〜 17:15 E201 (57-201)

藤村 紀文(大阪府立大)、牧野 久雄(高知工科大)

14:00 〜 14:15

[18p-E201-2] ミストCVD法によるエピタキシャルNiO薄膜の成長と導電性制御

池之上 卓己1、三宅 正男1、平藤 哲司1 (1.京大院エネ科)

キーワード:ミストCVD、酸化ニッケル、導電性制御