[18p-E201-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-E201-5] Development of novel reaction control technology for thin film fabrication using mist flow generating spacial & time gap III

Phimolphan RUTTHONGJAN¹, Li Liu¹, Misaki Nishi¹, Masahito Sakamoto¹, Shota Sato¹, Mariko Ueda¹, Chandima Pradeep ELLAWALA KANKANAMGE², Giang Tai DANG², 〇Toshiyuki Kawaharamura^1,2 (1.School of Sys. Eng., Kochi Univ. of Tech., 2.Res. Inst., Kochi Univ. of Tech.)

Keywords:mist CVD, multi component functional thin film, reaction control

前々回、前回の発表で、ミスト液滴の時間的・空間的な隔たりを利用する事により単相流体中で起こるような予測が困難な複雑な反応を無視し、多元(混晶)系機能膜の成膜速度や組成比を操作できる事を発見し、また実験を通じて本理論が正しい事を示した[1]。この反応制御技術を備えたミストCVDをこれまでの開発状況から以降第3世代ミストCVDと記すが[2]、本発表では第2世代ミストCVDを用いて作製した薄膜と比較し、第3世代ミストCVDの威力について報告する。対象膜はZnMgO薄膜である。