[18p-E201-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-E201-5] 時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発3

ﾙﾄﾝｼﾞｬﾝ ﾋﾟﾓﾝﾊﾟﾝ¹、刘 丽¹、西 美咲¹、坂本 雅仁¹、佐藤 翔太¹、上田 真理子¹、E.K.C. ﾌﾟﾗﾃﾞｨｰﾌﾟ²、鄧 太 江²、〇川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大 シス工、2.高知工大 総研)

キーワード：ミスト化学気相成長法、多元混晶機能膜、反応操作

前々回、前回の発表で、ミスト液滴の時間的・空間的な隔たりを利用する事により単相流体中で起こるような予測が困難な複雑な反応を無視し、多元(混晶)系機能膜の成膜速度や組成比を操作できる事を発見し、また実験を通じて本理論が正しい事を示した[1]。この反応制御技術を備えたミストCVDをこれまでの開発状況から以降第3世代ミストCVDと記すが[2]、本発表では第2世代ミストCVDを用いて作製した薄膜と比較し、第3世代ミストCVDの威力について報告する。対象膜はZnMgO薄膜である。