[18p-E201-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[18p-E201-8] Fabrication of ZnO thin film by PLD using nonequilibrium oxygen-nitrogen plasma Ⅱ

〇Ryosuke Kanaya¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:ZnO, Nonequilibrium plasma, PLD

p型ZnO製膜への最大のボトルネックは残留電子と自己補償効果の問題があげられる。今回、その問題に対して、高密度で、反応性の高い中性活性種を有する常圧非平衡プラズマに着目し、PLD法に応用することによって、残留電子濃度低減と窒素のドーピングを試みた結果、残留電子濃度低減と窒素のドーピングが確認できた。