[18p-E201-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-E201-8] 非平衡酸窒素プラズマアシストPLD法によるZnO薄膜の製膜Ⅱ

〇金屋 良輔¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大院工)

キーワード：酸化亜鉛、非平衡プラズマ、PLD

p型ZnO製膜への最大のボトルネックは残留電子と自己補償効果の問題があげられる。今回、その問題に対して、高密度で、反応性の高い中性活性種を有する常圧非平衡プラズマに着目し、PLD法に応用することによって、残留電子濃度低減と窒素のドーピングを試みた結果、残留電子濃度低減と窒素のドーピングが確認できた。