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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月18日(日) 13:15 〜 19:30 E202 (57-202)

荒木努(立命館大)、片山竜二(阪大)、藤倉序章(サイオクス)

16:15 〜 16:30

△ [18p-E202-11] スパッタ法によるAl_1-xGa_xNの成膜

〇石川崚¹、賈軍軍¹、重里有三¹ (1.青学大院理工)

キーワード：AlGaN、スパッタリング、べガード則