[18p-E202-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18p-E202-13] Ordered structure of Ga adlayers on GaN surface

〇Takuo Sasaki¹, Takuya Iwata², Masamitu Takahasi^1,2 (1.QST, 2.Univ. Hyogo)

Keywords:GaN, synchrotron radiation, surface

GaN成長中の表面にはGaが2原子層ほど液体状に存在する、いわゆるバイレイヤーの存在が知られているが、バイレイヤーのGa原子がランダムに存在しているのか、それとも液体にもかかわらず秩序構造を有しているかは明らかになっていない。本研究は、従来のRHEED強度測定に加えて、表面構造の違いに顕著なCrystal Truncation Rod（CTR）散乱強度を同時に測定し、Ga吸着層の秩序構造を検討した。