[18p-E202-1~22] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18p-E202-14] In-situ observation using synchrotron X-ray diffraction in the growth of GaInN/InN ~Growth phenomena at dissociation temperature of InN~

〇Tomohiro Yamaguchi¹, Takuo Sasaki², Masamitsu Takahasi², Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Tsutomu Araki³, Yasushi Nanishi³ (1.Kogakuin Univ., 2.QST, 3.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:MBE, InGaN, in-situ measurements

これまで我々は、RF-MBE 法によるGaN上およびInN上GaInN成長時の、放射光X線回折測定を用いた成長初期過程のその場観察を行ってきた。成長初期段階では下地の格子定数にあわせるために、通常と異なる供給原料の取り込み過程が働きながらGaInNが成長することを観察している。今回はInN上GaInN成長に焦点を当て、特にInN解離温度領域での振る舞いを観察したので報告する。