[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-14] 放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察～InN解離温度領域での振る舞い～

〇山口 智広¹、佐々木 拓生²、高橋 正光²、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、荒木 努³、名西 やすし³ (1.工学院大、2.量研、3.立命館大)

キーワード：MBE、InGaN、その場観察

これまで我々は、RF-MBE 法によるGaN上およびInN上GaInN成長時の、放射光X線回折測定を用いた成長初期過程のその場観察を行ってきた。成長初期段階では下地の格子定数にあわせるために、通常と異なる供給原料の取り込み過程が働きながらGaInNが成長することを観察している。今回はInN上GaInN成長に焦点を当て、特にInN解離温度領域での振る舞いを観察したので報告する。