[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-18] PSD法により形成した高濃度n型ドープGaN薄膜の特性評価

〇上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：GaN