[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E202-19] パルススパッタ堆積法による高Al組成AlGaN薄膜成長

〇櫻井 悠也¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：AlGaN、スパッタリング