[18p-E202-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18p-E202-2] Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響

〇(B)遠藤 清人¹、山田 拓海¹、蔵本 流星¹、林 正俊¹、久保 等¹、丸山 美帆子¹、村上 航介¹、今西 正幸¹、今出 完¹、吉村 政志¹、森 勇介¹ (1.阪大工)

キーワード：窒化ガリウム、Naフラックス法